|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 79 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the chemical states and microstructural, electrical, and carrier transport properties of the Ni/HfO2/Ga2O3/n-GaN MOS junction |
| Auteur: |
Manjunath, V. Chalapathi, U. Reddy, B. Purusottam Ahn, Chang-Hoi Park, Si-Hyun |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 34 () nr. 9 pagina's xx |
| Jaar: |
2023-03-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 79 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |