|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 59 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of parameter variation of InAs quantum dots embedded in GaAs/Al0.30Ga0.70As structures with different capping/buffer quantum wells at annealing |
| Auteur: |
Tamayo, R. Cisneros Torchynska, T. V. Polupan, G. Stintz, A. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 34 () nr. 14 pagina's xx |
| Jaar: |
2023-05-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 59 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |