|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
A stacked high-Ge-concentration SiGe/Ge multilayer on a novel Ge + SiGe SRB structure for the gate-all-around MOSFETS |
| Auteur: |
Liu, Haoyan Li, Yongliang Cheng, Xiaohong Li, Chun Zhang, Jiayi Luo, Jun Wang, Wenwu Ye, Tianchun |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. 29 pagina's 22926-22931 |
| Jaar: |
2022-09-15 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |