|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of annealing temperature on the physical properties of NiO thin films and ITO/NiO/Al Schottky diodes |
| Auteur: |
Salunkhe, Parashurama Kekuda, Dhananjaya |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. 26 pagina's 21060-21074 |
| Jaar: |
2022-08-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |