|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of illumination intensity on the electrical characteristics of Au//SiO2/n-type Si structures with GO and P3C4MT interface layer |
| Auteur: |
Seymen, Halil Berk, Niyazi Orak, İkram Karataş, Şükrü |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. 24 pagina's 19656-19666 |
| Jaar: |
2022-08-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |