|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 56 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing effects on electrical property depth profiles of BF2 and P implanted polycrystalline Si determined by differential hall effect metrology |
| Auteur: |
Lee, Fa-Yan Wu, YewChung Sermon Joshi, Abhijeet Basol, Bulent M. Chang, Chia-He Lin, Kun-Lin |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. 20 pagina's 16272-16285 |
| Jaar: |
2022-06-10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 56 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |