|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
DLTS study of the influence of annealing on deep level defects induced in xenon ions implanted n-type 4H-SiC |
| Auteur: |
Omotoso, Ezekiel Meyer, Walter E. Igumbor, Emmanuel Hlatshwayo, Thulani T. Prinsloo, Aletta R. E. Auret, F. Danie Sheppard, Charles J. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. 19 pagina's 15679-15688 |
| Jaar: |
2022-06-10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |