|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 132 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of atomic-layer-deposited HfO2 thin-film interfacial layer on the electrical properties of Au/Ti/n-GaAs Schottky diode |
| Auteur: |
Yıldız, D. E. Karabulut, A. Orak, İ. Turut, A. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 8 pagina's 10209-10223 |
| Jaar: |
2021-03-26 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 132 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |