|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 130 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement effect of the MoO3 interface layer on the p-Si-based Schottky diode |
| Auteur: |
Özden, Şadan |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 7 pagina's 9567-9573 |
| Jaar: |
2021-03-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 130 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |