|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 114 van 121 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of adding an active layer to the structure of a-Si: H solar cells on the efficiency using RF-PECVD |
| Auteur: |
Prayogi, Soni Cahyono, Yoyok Iqballudin, Irsyad Stchakovsky, Michel Darminto, D. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 6 pagina's 7609-7618 |
| Jaar: |
2021-02-18 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 114 van 121 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |