|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 54 van 124 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of high-quality epitaxy of GaAs on Si with engineered Ge buffer using MOCVD |
| Auteur: |
Du, Yong Xu, Buqing Wang, Guilei Gu, Shihai Li, Ben Kong, Zhenzhen Yu, Jiahan Bai, Guobin Li, Junjie Wang, Wenwu Radamson, Henry H. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 5 pagina's 6425-6437 |
| Jaar: |
2021-02-06 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 54 van 124 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |