|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 119 van 124 gevonden artikelen
| Titel: |
The reverse bias current–voltage–temperature (I–V–T) characteristics of the (Au/Ti)/Al2O3/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) in temperature range of 80–380 K |
| Auteur: |
Güçlü, Ç. Ş. Özdemir, A. F. Aldemir, D. A. Altındal, Ş. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 5 pagina's 5624-5634 |
| Jaar: |
2021-01-30 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 119 van 124 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |