|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 110 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of Gd and Si co-doping on the band alignment and electrical properties of HfO2 dielectric films prepared by atomic layer deposition |
| Auteur: |
Zhu, Lin Liu, Xiao-Jie Cao, Yan-Qiang Li, Ai-Dong Wu, Di |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 4 pagina's 4815-4822 |
| Jaar: |
2021-01-23 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 110 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |