|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved electrical conductivity and power factor in Sn and Se co-doped melt-grown Bi2Te3 single crystal |
| Auteur: |
Hegde, Ganesh Shridhar Prabhu, A. N. Chattopadhyay, M. K. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 20 pagina's 24871-24888 |
| Jaar: |
2021-09-09 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |