|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 95 van 116 gevonden artikelen
| Titel: |
Syntaxy and defect distribution during the bulk growth of 4H-SiC Single crystal |
| Auteur: |
Patel, Ankit Mittal, Mani Rao, D. V. Sridhara Garg, A. K. Tyagi, Renu Thakur, O. P. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 2 pagina's 2187-2192 |
| Jaar: |
2021-01-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 95 van 116 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |