|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 75 van 82 gevonden artikelen
| Titel: |
The crystallization mechanism of zirconium-doped Sb2Te3 material for phase-change random-access memory application |
| Auteur: |
Zheng, Yonghui Qi, Ruijuan Cheng, Yan Song, Zhitang |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 8 pagina's 5861-5865 |
| Jaar: |
2019-12-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 75 van 82 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |