|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 47 van 82 gevonden artikelen
| Titel: |
Low leakage GaN HEMTs with sub-100 nm T-shape gates fabricated by a low-damage etching process |
| Auteur: |
Lei, Siqi Cheng, Wei-Chih Wu, Jingyi Wang, Liang Wang, Qing Xia, Guangrui Zhao, Feng Yu, Hongyu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 8 pagina's 5886-5891 |
| Jaar: |
2019-12-21 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 47 van 82 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |