|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 44 van 82 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device |
| Auteur: |
Zhao, Zhiqian Cheng, Xiaohong Li, Yongliang Zan, Ying Liu, Haoyan Wang, Guilei Du, Anyan Li, Junjie Zhang, Qingzhu Xu, Gaobo Ma, Xueli Wang, Xiaolei Yang, Hong Xu, Jing Luo, Jun Li, JunFeng Yin, Huaxiang Wang, Wenwu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 8 pagina's 5854-5860 |
| Jaar: |
2019-12-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 44 van 82 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |