|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 36 van 80 gevonden artikelen
| Titel: |
Homogeneous dual-gate MoS2 field-effect transistors integrated by atomic layer deposition-based film synthesis |
| Auteur: |
Chen, Tao Wang, Yang Zhang, Tianbao Zhu, Hao Chen, Lin Sun, Qingqing |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 7 pagina's 5485-5491 |
| Jaar: |
2020-02-19 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 36 van 80 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |