|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 75 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Radiation tolerance, charge trapping, and defect dynamics studies of ALD-grown Al/HfO2/Si nMOSCAPs |
| Auteur: |
Manikanthababu, N. Basu, T. Vajandar, S. Nageswara Rao, S. V. S. Panigrahi, B. K. Osipowicz, T. Pathak, A. P. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 4 pagina's 3312-3322 |
| Jaar: |
2020-01-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 75 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |