|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 101 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of post-annealing of tunnel oxide on the electrical characteristics of Pt–Ti/HfO2/TiN/SiON/n-Si capacitor for flash memory applications |
| Auteur: |
Vaid, Rakesh Rajput, Renu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 18 pagina's 15267-15276 |
| Jaar: |
2020-07-30 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 101 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |