|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 40 van 80 gevonden artikelen
| Titel: |
Longitudinal optical Raman mode A1 to calculate the indium molar fraction of epitaxial InGaN layers grown by LP-MOCVD on polar and non-polar planes |
| Auteur: |
Marín-García, C. A. Cerón, J. S. Arias Sánchez-R, V. M. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 10 pagina's 7455-7460 |
| Jaar: |
2020-01-31 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 40 van 80 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |