|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 101 gevonden artikelen
| Titel: |
Ga doping improved electrical properties in p-Si/n-ZnO heterojunction diodes |
| Auteur: |
Annathurai, Sridevi Chidambaram, Siva Rathinam, Maheswaran Venkatesan, G. K. D. Prasanna |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 6 pagina's 5923-5928 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 101 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |