|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 71 van 127 gevonden artikelen
| Titel: |
MOVPE growth conditions optimization for AlGaN/GaN/Si heterostructures with SiN and LT-AlN interlayers designed for HEMT applications |
| Auteur: |
Wośko, Mateusz Szymański, Tomasz Paszkiewicz, Bogdan Pokryszka, Piotr Paszkiewicz, Regina |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 4 pagina's 4111-4116 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 71 van 127 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |