|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 92 van 127 gevonden artikelen
| Titel: |
Revisiting the effects of carbon-doping at 1017 cm−3 level on dislocation behavior of Czochralski silicon: from room temperature to elevated temperatures |
| Auteur: |
Sun, Yuxin Zhao, Tong Lan, Wu Zhao, Jian Ni, Zhenyi Zhao, Jianjiang Yu, Xuegong Ma, Xiangyang Yang, Deren |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 3 pagina's 3114-3123 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 92 van 127 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |