|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 44 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Remarkably improved uniform bipolar-resistive switching performance with a NiO buffer layer in Bi2SiO5 thin-film memory devices |
| Auteur: |
Chen, Ruqi Hu, Wei Hao, Aize Bao, Dinghua |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 24 pagina's 21477-21484 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 44 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |