|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative study of structural electrical dielectric and ferroelectric properties of HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition and radio frequency sputtering technique for the application in 1-T FeFET |
| Auteur: |
Jha, Rajesh Kumar Singh, Prashant Goswami, Manish Singh, B. R. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 23 pagina's 20360-20368 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |