|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of forward and reverse biased current–voltage characteristics of Al/Al2O3/n-Si Schottky diode with atomic layer deposited Al2O3 thin film interlayer |
| Auteur: |
Gullu, H. H. Yildiz, D. E. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 21 pagina's 19383-19393 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |