|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of fully strained AlN nucleation layer on the AlN/SiC interface and subsequent GaN growth on 4H–SiC by MOVPE |
| Auteur: |
Khan, Ruby Bag, Rajesh K. Narang, Kapil Pandey, Akhilesh Dalal, Sandeep Singh, Vikash K. Saini, Sachin K. Padmavati, M. V. G. Tyagi, Renu Riaz, Ufana |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 20 pagina's 18910-18918 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |