|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 85 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al2O3 on silicon using deep-level transient spectroscopy |
| Auteur: |
Chen, Zhe Dong, Peng Xie, Meng Li, Yun Yu, Xuegong Ma, Yao |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2018) nr. 2 pagina's 1148-1152 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 85 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |