|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Double active layer InZnO:N/InZnSnO thin film transistors with high mobility at low annealing temperature |
| Auteur: |
Wang, Ye Su, Jinbao Dai, Shiqian Li, Ran Ma, Yaobin Wang, Qi Tian, Longjie Ning, Keqing Zhang, Xiqing |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2018) nr. 2 pagina's 1496-1499 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |