|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 50 van 101 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of plasma enhanced atomic layer deposited HfO2 buffer layer on the structural, electrical and ferroelectric properties of metal/ferroelectric/insulator/semiconductor gate stack for non-volatile memory applications |
| Auteur: |
Jha, Rajesh Kumar Singh, Prashant Goswami, Manish Singh, B. R. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 16 pagina's 15224-15235 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 50 van 101 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |