|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 102 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel three-layer graded SiGe strain relaxed buffer for the high crystal quality and strained Si0.5Ge0.5 layer epitaxial grown |
| Auteur: |
Zhao, Zhiqian Li, Yongliang Wang, Guilei Du, Anyan Gu, Shihai Li, Yan Zhang, Qingzhu Xu, Gaobo Ma, Xueli Wang, Xiaolei Yang, Hong Luo, Jun Li, JunFeng Yin, Huaxiang Wang, Wenwu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 15 pagina's 14130-14135 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 102 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |