|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 101 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing effects on the performances of Bismuth-doped Indium Zinc Oxide thin-film transistors |
| Auteur: |
Lin, Dong Zheng, Xudong Yang, Jianwen Li, Kaiwen Shao, Jingjing Zhang, Qun |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 14 pagina's 12929-12936 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 101 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |