|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 92 gevonden artikelen
| Titel: |
A stress sensor based on a silicon field effect transistor comprising a piezoelectric AlN gate dielectric |
| Auteur: |
Winterfeld, H. Thormählen, L. Lewitz, H. Yarar, E. Birkoben, T. Niethe, N. Preinl, N. Hanssen, H. Quandt, E. Kohlstedt, H. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 12 pagina's 11493-11498 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 92 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |