|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 90 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of various NO annealing conditions on N-type and P-type 4H-SiC MOS capacitors |
| Auteur: |
Jia, Yifan Lv, Hongliang Tang, Xiaoyan Han, Chao Song, Qingwen Zhang, Yimen Zhang, Yuming Dimitrijev, Sima Han, Jisheng Haasmann, Daniel |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2019) nr. 11 pagina's 10302-10310 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 90 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |