|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 58 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Reduction of leakage current at the SiNx/GaN interface in GaN Schottky diodes |
| Auteur: |
Kolli, Sowmya Sunkara, Mahendra Alphenaar, Bruce |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 22 pagina's 19353-19358 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 58 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |