|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 102 gevonden artikelen
| Titel: |
Development of self-rectifying ZnO thin film resistive switching memory device using successive ionic layer adsorption and reaction method |
| Auteur: |
Dongle, Vrushali S. Dongare, Akshata A. Mullani, Navaj B. Pawar, Pravin S. Patil, Prashant B. Heo, Jaeyeong Park, Tae Joo Dongale, Tukaram D. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 21 pagina's 18733-18741 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 102 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |