|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 45 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of interfacial layer using ultra-thin SiO2 on electrical and structural characteristics of Gd2O3 MOS capacitor |
| Auteur: |
Kahraman, Aysegul Gurer, Umutcan Lok, Ramazan Kaya, Senol Yilmaz, Ercan |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 20 pagina's 17473-17482 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 45 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |