|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Forward and reverse bias current–voltage (I–V) characteristics in the metal–ferroelectric–semiconductor (Au/SrTiO3/n-Si) structures at room temperature |
| Auteur: |
Buyukbas-Ulusan, A. Altındal-Yerişkin, S. Tataroğlu, A. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 19 pagina's 16740-16746 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |