|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 46 van 102 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate modeling of metal–insulator–semiconductor devices based on ultra-thin atomic-layer deposited TiO2 |
| Auteur: |
Uribe-Vargas, Hector Molina-Reyes, Joel Romero-Morán, Alejandra Ortega, Eduardo Ponce, Arturo |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 18 pagina's 15761-15769 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 46 van 102 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |