|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Determination of the critical carrier concentration for the metal–insulator transition in Ga-doped ZnO |
| Auteur: |
Sbeta, M. Serin, T. Yildiz, A. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 16 pagina's 14111-14115 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |