|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 146 van 152 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of La/Al atomic ratio on the dielectric constant and band-gap of stack-gate La–Al–O/SiO2 structure |
| Auteur: |
Wang, Shulong Liu, Hongxia Zhang, Hailin |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 28 (2016) nr. 2 pagina's 2004-2008 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 146 van 152 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |