|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 48 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Innovative Ge–SiO2 bonding based on an intermediate ultra-thin silicon layer |
| Auteur: |
Mao, Danfeng Ke, Shaoying Lai, Shumei Ruan, Yujiao Huang, Donglin Lin, Shaoming Chen, Songyan Li, Cheng Wang, Jianyuan Huang, Wei |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 28 (2017) nr. 14 pagina's 10262-10269 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 48 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |