|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 151 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of 3C-SiC on Si(100) by LPCVD using a modified process after the clean step |
| Auteur: |
Zhao, Zhifei Li, Yun Yin, Zhijun Li, Zhonghui |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (2016) nr. 7 pagina's 7095-7099 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 151 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |