|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 111 van 151 gevonden artikelen
| Titel: |
Resistive switching memory behaviours of MoSe2 nano-islands array |
| Auteur: |
Zhang, Xuejiao Qiao, Haixia Nian, Xiaofeng Huang, Yong Pang, Xiaofeng |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (2016) nr. 7 pagina's 7609-7613 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 111 van 151 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |