|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 99 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Low-leakage current and high-breakdown voltage GaN-on-Si (111) System with an AlGaN impurity blocking layer |
| Auteur: |
Ni, Yiqiang He, Liang Zhou, Deqiu He, Zhiyuan Chen, Zijun Zheng, Yue Yang, Fan Shen, Zhen Zhang, Xiaorong He, Lei Wu, Zhisheng Zhang, Baijun Liu, Yang |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (2016) nr. 5 pagina's 5158-5163 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 99 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |