|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 115 van 152 gevonden artikelen
| Titel: |
Stress evolution in AlN and GaN grown on Si(111): experiments and theoretical modeling |
| Auteur: |
Dai, Yiquan Li, Shuiming Gao, Hongwei Wang, Weihui Sun, Qian Peng, Qing Gui, Chengqun Qian, Zhengfang Liu, Sheng |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (2015) nr. 2 pagina's 2004-2013 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 115 van 152 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |