|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 61 van 150 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiNx interlayer |
| Auteur: |
Huang, Zhen Zhang, Yuantao Deng, Gaoqiang Li, Baozhu Cui, Shuang Liang, Hongwei Chang, Yuchun Song, Junfeng Zhang, Baolin Du, Guotong |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (2016) nr. 10 pagina's 10003-10009 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 61 van 150 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |