|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 104 van 135 gevonden artikelen
| Titel: |
Selective epitaxy growth of Si1−xGex layers for MOSFETs and FinFETs |
| Auteur: |
Radamson, Henry H. Kolahdouz, Mohammadreza |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 26 (2015) nr. 7 pagina's 4584-4603 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 104 van 135 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |